данного полупроводника. Для большинства полупроводниковых материалов, из которых изготовляются солнечные элементы, он лежит в ближней инфракрасной области спектра: при длине волны 1,1 мкм для кремния и при 0,9 мкм для арсенида галлия.
(обратно)
3
После разделения полем p-n-перехода дырки из n-области переходят в p-область, а электроны из p-области оказываются в n-области; те и другие становятся уже при этом основными носителями заряда в соответствующих областях солнечных элементов.
(обратно)
4
Алюминий является для кремния примесью р-типа.
(обратно)
5
Электрическое тянущее поле может быть образовано в отдельных областях солнечного элемента при плавном или резком изменении ширины запрещенной зоны полупроводника, а также путем создания перепада концентрации примеси по глубине; попавшие в такую область носители заряда движутся не только благодаря энергии, переданной им квантами света, подчиняясь законам диффузии, но и за счет энергии окружающего их электростатического поля, которое в этом случае в основном определяет скорость и направление перемещения носителей заряда.
(обратно)
6
Обозначение р+- и п+ — применяется по отношению к слоям, содержащим значительно большую концентрацию легирующей примеси и, следовательно, свободных носителей заряда, чем у обычно применяемых р- и n-областей солнечного элемента.
(обратно)
7
Изотипный переход образуется в полупроводнике одного и того же типа проводимости между слоями с резко отличающимися значениями концентрации одинаковой — донорной или акцепторной — примеси, например между n+-слоем, сильно легированным фосфором, и n-слоем, слабо легированным фосфором.
(обратно)
8
Пленка ITO, названная так по первым буквам английских слов индий — олово — оксид, получается из смеси оксидов олова и индия различными способами.
(обратно)
9
Энергетический спектр протонов и электронов в поясах радиации носит спадающий характер — суточные дозы частиц резко уменьшаются с увеличением их энергии.
(обратно)
--">
Последние комментарии
12 часов 46 минут назад
15 часов 44 минут назад
15 часов 45 минут назад
16 часов 47 минут назад
22 часов 4 минут назад
22 часов 5 минут назад