Промышленная электроника [Сергей Павлович Миклашевский] (pdf) читать постранично, страница - 32

схемы ОБ

21е)

Лпл

)

+

h u b

пЛа
1-f

Tq (1

'■в + ' ' c

^21е)

е

fl
' *21 С

/iaie)

(1-Ь^*21е)

” 216

'•с

+

=

1,

Л.ой
'" с (*

Параметры для схемы ОН

"12^

, , ,
1
h a ll

''в

’’с

_

Г
-U r”
^С + ^В

^

^ 2 1 с = 1 "Ь ^*21^

h^ib —

Так, статический коэффициент передачи базового тока
h^iE '

^с~^сво
^в + ^сво

(6 -2 2 )

Статический коэффициент передачи тока эмиттера
^21В =

(6-23)

Параметры большого сигнала указаны в справочниках по тран­
зисторам. Кроме перечисленных параметров малого и большого
сигналов важными являются предельные и предельно допустимые
параметры транзистора, к которым относятся:
1. Максимально допустимая мощность, рассеиваемая коллекто­
ром Р с тях- Эта мощность определяется допустимым нагревом кол­
лекторного перехода. В справочниках указывают Рстах Для тран­
зистора с охлаждающим радиатором н без него.
2. Максимальный ток коллектора Iq max- Превышение этого тока
приводит к недопустимому уменьшению коэффициентов передачи
тока и других параметров транзистора.
3. Допустимые напряжения U c e m a x и f^CB max, при которых (в схе­
мах ОЭ и ОБ соответственно) начинается электрический или лавин­
ный пробой коллекторного п—р перехода.
4. Граничная частота усиления fh2ib’ па которой коэффициент
передачи эмиттерного тока h^ib уменьшается в [ 2 раз (па 3 дб)
по сравнению со значением, измеренным па звуковых частотах.

О)
G

S

Й

+

от
+

+

LO
О

ю
о

LO
о
о

LO
00
+

ю
со
+

ю
г^
+

о

LO
о
о

ю
о

s
+
UO

+

?

о

О
О
Ю«М О
ю

я
ю

ОО
ОО

aiS

LO

о

о
со
1
о
со

о
со

ч

ьо
со

о
со

о
г1
ю

о00

S
см

о

о

о
со

со

ь

о
со
о
C^l

ю

о
vr
о
см

1ё

о
см

LO

о
*