УДК 621.38(075)
ББК 32.85я73
Ш42
Электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники» подготовлен в рамках реализации Программы развития федерального государственного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Сибирский федеральный университет»
(СФУ) на 2007–2010 гг.
Рецензенты:
Красноярский краевой фонд науки;
Экспертная комиссия СФУ по подготовке учебно-методических комплексов дисциплин
Разработка и оформление электронного образовательного ресурса: Центр технологий электронного обучения Информационно-телекоммуникационного комплекса СФУ; лаборатория
по разработке мультимедийных электронных образовательных ресурсов при КрЦНИТ
Содержимое ресурса охраняется законом об авторском праве. Несанкционированное копирование и использование данного продукта запрещается. Встречающиеся названия программного обеспечения, изделий, устройств или систем могут являться зарегистрированными товарными знаками тех или иных фирм.
Подп. к использованию 30.11.2009
Объем 6 Мб
Красноярск: СФУ, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79
Оглавление
ПРЕДИСЛОВИЕ ........................................................... 7
ЛЕКЦИЯ 1 РОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ В СОЗДАНИИ
УСТРОЙСТВ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ .......... 8
1.1. Поверхность и её свойства.................................................................................. 8
1.2. Поверхностный потенциал ................................................................................ 10
1.3. Поверхностные состояния. Уровни Тамма ..................................................... 12
1.4. Быстрые и медленные поверхностные состояния....................................... 13
Вопросы для самопроверки ..................................................................................... 14
ЛЕКЦИЯ 2 МИКРО- И НАНОРАЗМЕРНЫЕ
АТОМНЫЕ КЛАСТЕРЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
И ИХ СВОЙСТВА ..................................................... 15
2.1. Микрокластеры и их энергетическое состояние ............................................ 15
2.2. Методы получения и применения структур с атомными кластерами ....... 17
2.3. Межфазные границы и их свойства ................................................................. 20
2.4. Возможность формирования структур с минимальным
рассогласованием по параметрам решетки ........................................................... 22
2.5. Напряженные полупроводниковые структуры, их свойства
и применение............................................................................................................... 23
Вопросы для самопроверки ..................................................................................... 26
ЛЕКЦИЯ 3 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ВОЗМОЖНОСТИ
ПЕРСПЕКТИВНЫХ ВИДОВ ЭПИТАКСИИ .............. 27
3.1. Достижения молекулярно-лучевой эпитаксии ............................................... 27
3.2. Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений.................... 31
Вопросы для самопроверки ..................................................................................... 34
ЛЕКЦИЯ 4 СОЗДАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
УСТРОЙСТВ МЕТОДАМИ ЛИТОГРАФИИ ............... 35
4.1. Традиционная фотолитография и ее проблемы............................................ 35
4.2. Электронно-лучевая литография ..................................................................... 43
4.3. Рентгеновская литография ................................................................................ 52
Вопросы для самопроверки
Последние комментарии
1 день 15 часов назад
1 день 19 часов назад
1 день 21 часов назад
1 день 22 часов назад
1 день 23 часов назад
2 дней 1 час назад